SIHH190N65E-T1-GE3-HXY(DFN8X8B)

类别：碳化硅MOS 封装：DFN8X8B 参数简介：ID:25A,VDSS:800V,RDON:165mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N-ch, （订购信息）商品编号：H123249 最小包装：2500/圆盘 商品毛重/:0.3克 （如需帮助，请点击“立即咨询”）