TVS（ESD）：输入浪涌保护VRWM 7.5-26 V，IPPM（8/20 µs）= 69-178 A
输入开关MOSFET：VDSS 30V，RDon< 10 mR
驱动器MOSFET：VDSS 30V，RDon 10-20 mR
输入端口MOSFET ：VDSS 12-20 V
二极管（肖特基整流器）：IF > 1 A，VR  30 V
...
（如需帮助，点击此处联系我们）  

体积越来越小，功率密度越来越高的发展趋势
直接为电池提供更多电量的同时，降低手机热量
支持国际能源法规，提供复杂的监测和故障保护功能，以实现优化和安全的电池充电条件
...