SIHD6N65ET1-GE3-HXY(TO-252-2L)

类别：碳化硅MOS 封装：TO-252-2L 参数简介：ID:10.2A,VDSS:800V,RDON:550mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N-ch, （订购信息）商品编号：H123682 最小包装：2500/圆盘 商品毛重/:0.385克 （如需帮助，请点击“立即咨询”）